中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所駱軍委研究員來訪寧波材料所
5月31日，應(yīng)中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所霍軍濤研究員邀請，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所駱軍委研究員來訪寧波材料所，并作了題為《后摩爾硅器件半導(dǎo)體前沿物理》的學(xué)術(shù)報(bào)告。
針對當(dāng)前CMOS器件尺寸不斷逼近物理極限、傳統(tǒng)摩爾定律逐漸放緩的發(fā)展趨勢，報(bào)告系統(tǒng)介紹了后摩爾時(shí)代半導(dǎo)體領(lǐng)域面臨的關(guān)鍵科學(xué)問題與前沿研究進(jìn)展。駱軍委研究員從國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線出發(fā)，分析了當(dāng)晶體管特征尺寸縮減至納米尺度后所面臨的接觸電阻、載流子輸運(yùn)、高介電材料以及器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新等核心挑戰(zhàn)，并圍繞“延續(xù)摩爾（More Moore）”“擴(kuò)展摩爾（More Than Moore）”和“超越摩爾（Beyond Moore）”三個(gè)發(fā)展方向，介紹了團(tuán)隊(duì)近年來在硅基器件物理研究方面取得的重要成果。包括利用量子尺寸效應(yīng)解決接觸電阻問題的新方案、GAA（全環(huán)繞柵）晶體管空穴遷移率退化機(jī)制研究，以及面向高介電材料和鐵電晶體管的新理論探索。報(bào)告結(jié)束后，與會人員圍繞半導(dǎo)體器件尺度效應(yīng)、量子輸運(yùn)機(jī)制、先進(jìn)晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等問題展開了熱烈討論和深入交流。
駱軍委，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。2019年獲國家杰出青年科學(xué)基金資助（2025年獲延續(xù)資助），2021年獲中國科學(xué)院首批穩(wěn)定支持青年團(tuán)隊(duì)資助。長期從事半導(dǎo)體物理與器件物理研究，在解決硅基發(fā)光世界難題和硅基量子計(jì)算材料方面取得多項(xiàng)原創(chuàng)性研究成果。已發(fā)表學(xué)術(shù)論文140余篇，包括發(fā)表于《Nature》《Nature Physics》《Nature Nanotechnology》《Physical Review Letters》《Nature Communications》《Science Advances》《Proceedings of the National Academy of Sciences》等國際高水平學(xué)術(shù)期刊的研究工作，并擔(dān)任多個(gè)國際學(xué)術(shù)會議重要職務(wù)。
報(bào)告現(xiàn)場
（磁性材料及應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室 候懿宸）