蘇州大學(xué)教授彭長四來訪寧波材料所
10月17日，應(yīng)中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所所屬新能源所郭煒研究員的邀請，蘇州大學(xué)教授彭長四來訪寧波材料所，并帶來了題為“激光圖形化誘導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)陣列外延制備”的學(xué)術(shù)報告。
彭長四在報告中介紹了GaAs晶圓基底上外延制備InAs納米結(jié)構(gòu)陣列材料的方法，并分析了激光圖形化誘導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)陣列外延制備的發(fā)展方向及途徑。他提出，在材料外延生長過程中通過激光干涉圖案誘導(dǎo)，改變局部反應(yīng)過程和域局域應(yīng)力分布，利用光熱或光化學(xué)反應(yīng)在由激光干涉圖案預(yù)先確定的位置形成無缺陷的自組裝生長或刻蝕。通過與納米材料傳統(tǒng)外延方法做對比，經(jīng)激光圖形化誘導(dǎo)外延的材料缺陷低，圖形更可控。報告內(nèi)容深入淺出，語言生動幽默。隨后，彭長四與在場師生展開了熱烈討論，大家圍繞激光圖形化的發(fā)展前景、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用等問題進(jìn)行了探討。
彭長四，蘇州大學(xué)特聘教授，光電學(xué)院公共平臺主任。1990年獲武漢大學(xué)理學(xué)學(xué)士學(xué)位，1998年獲中科院物理所理學(xué)博士學(xué)位，2009年（在職）獲（芬蘭）坦佩雷理工大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位。2000年任中科院物理所副研究員；1999至2000年，以中日青年科學(xué)家交流身份在日本筑波電子綜合研究所從事太陽能電池研究；2001至2009年，就職于（芬蘭）坦佩雷理工大學(xué)，歷任博士后（1年）和高級研究員（8年）；2009年底至今，受聘蘇州大學(xué)特聘教授；2018年6月至2019年5月，任（英國）貝德福特大學(xué)兼職教授；現(xiàn)任（英國）貝德福特大學(xué)和（英國）謝菲爾德大學(xué)客座教授。發(fā)表Springer專著1部，其他專著4章，200余篇同行評審論文，他引2000余次，專利授權(quán)20項，包括美國、歐盟、德國、法國、英國、芬蘭、西班牙授權(quán)發(fā)明專利各1項。領(lǐng)導(dǎo)了包括科技部重大專項、自然科學(xué)基金、歐盟FP6和FP7、芬蘭科學(xué)院等資助研究項目9項。
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