中國科學技術(shù)大學龍世兵教授來訪寧波材料所
12月4日，應中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所所屬新能源所太陽能及光電子器件團隊葉繼春研究員的邀請，中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長龍世兵教授來訪中科院寧波材料所，并作了題為“氧化鎵半導體器件”的學術(shù)報告。
龍世兵首先簡單介紹了氧化鎵材料的基本結(jié)構(gòu)、性能優(yōu)勢以及導模法生長的成本優(yōu)勢，氧化鎵在功率電子器件中的應用，目前氧化鎵功率電子器件的主要優(yōu)勢、進展以及發(fā)展趨勢，單器件、陣列及成像的發(fā)展趨勢，多種晶型氧化鎵光電探測器以及不同工藝對探測器性能的影響機理，并總結(jié)了氧化鎵功率電子器件和深紫外探測器面臨的挑戰(zhàn)及應對措施。他指出，當前氧化鎵材料及器件的研究呈現(xiàn)出顯著的加速發(fā)展態(tài)勢，要把布局和經(jīng)費投入上升到戰(zhàn)略層面，力爭抓住國際領(lǐng)先的大好機遇。會后，龍世兵和與會人員展開了熱烈討論和交流。
龍世兵，教授，博導，中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長，IEEE高級會員，從事超寬禁帶半導體器件、存儲器等領(lǐng)域的研究。在IEEE EDL等國際學術(shù)期刊和會議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引4000余次，H因子35，5篇論文入選ESI高引論文（累計引用居前1%的論文）。獲得/申請專利100余項，其中9項轉(zhuǎn)移給國內(nèi)最大的集成電路制造企業(yè)中芯國際，74項授權(quán)/受理發(fā)明專利許可給武漢新芯。主持國家自然科學基金、科技部（863、973、重大專項、重點研發(fā)計劃）、中科院等資助科研項目18項。獲得2013年國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎（第6完成人）、2016年國家自然科學二等獎（第4完成人）、2018年中國科學院杰出科技成就獎（第3完成人）。
報告現(xiàn)場
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