北京大學(xué)沈波教授來訪寧波材料所
12月5號(hào)，應(yīng)中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所所屬新能源所太陽能及光電子器件團(tuán)隊(duì)葉繼春研究員的邀請(qǐng)，北京大學(xué)沈波教授來訪中科院寧波材料所，并作了題為“氮化物半導(dǎo)體及其量子結(jié)構(gòu)的大失配異質(zhì)外延”的學(xué)術(shù)報(bào)告。
沈波首先簡單介紹了北京大學(xué)物理學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體，特別是GaN材料與器件領(lǐng)域的研究方向和科研進(jìn)展，以及目前氮化物半導(dǎo)體的主要進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)，并詳細(xì)講解了GaN基電子器件的應(yīng)用領(lǐng)域、節(jié)能效益以及成本優(yōu)勢(shì)。他指出，繼氮化物L(fēng)ED照明領(lǐng)域之后，寬禁帶半導(dǎo)體功率電子器件將會(huì)是下一個(gè)爆發(fā)出萬億市場(chǎng)潛力的新興領(lǐng)域。隨后，針對(duì)氮化物生長質(zhì)量較差的問題，沈波從大失配外延的角度，闡述了異質(zhì)外延的必要性、存在的科學(xué)問題以及物理機(jī)制，分享了目前主流的優(yōu)化晶體質(zhì)量的技術(shù)路線，并和與會(huì)人員展開了熱烈的討論。
沈波，北京大學(xué)理學(xué)部副主任，寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任，物理學(xué)院長江特聘教授，國家杰出青年基金獲得者，國家973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家，國家863計(jì)劃“半導(dǎo)體照明”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員，國家863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長，享受國務(wù)院特殊津貼。1995年至今一直從事GaN基寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。在GaN基量子結(jié)構(gòu)的外延生長、強(qiáng)極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運(yùn)性質(zhì)、寬禁帶半導(dǎo)體物理缺陷以及射頻功率器件等領(lǐng)域具有一定影響。先后與華為、京東方以及中國電科等企業(yè)展開了一系列合作。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文300多篇，論文被引4000多次，申請(qǐng)/獲得國家發(fā)明專利60多件。先后獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)，國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)等。
會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)
（新能源所 戴貽鈞）