上海大學吳亮教授來訪寧波材料所
10月12日，應(yīng)中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所所屬新能源所副研究員郭煒博士的邀請，上海大學教授吳亮博士來訪寧波材料所進行學術(shù)交流，并作了題為“Novel approach to grow high quality and large size freestanding AlN single crystals by PVT method”的學術(shù)報告。
在報告中，吳亮針對AlN自支撐單晶襯底的應(yīng)用、發(fā)展以及生長方式作了深入淺出的講解。他指出，在高功率電子電力器件、深紫外LED以及紫外探測器領(lǐng)域，自支撐AlN單晶襯底都具有無可比擬的優(yōu)勢。由于AlN單晶襯底生長溫度高（>2000℃），寄生反應(yīng)嚴重，因此AlN單晶生長難度極大?？紤]到氣相沉積（PVT）方法的特殊性，反應(yīng)釜的構(gòu)造、熱場設(shè)計等對于晶體生長的雜質(zhì)含量、晶體極性和尺寸大小都有重要的影響。吳亮自主設(shè)計制造了W坩堝和一整套自動化長晶設(shè)備，目前已經(jīng)能夠生長出1英寸低位錯密度（104cm-2）、高紫外透光率的AlN單晶襯底，相應(yīng)指標在國際上處于領(lǐng)先地位，同時該技術(shù)也打破了美國Hexatech, Crystal IS等公司對于AlN單晶的技術(shù)壟斷和對國內(nèi)的技術(shù)封鎖，吳亮創(chuàng)辦的企業(yè)為中國唯一一家能夠生長高質(zhì)量AlN自支撐單晶的單位。目前，吳亮設(shè)計制造的第二代晶體生長系統(tǒng)預(yù)計年底可實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，屆時將與寧波材料所合作，共同開發(fā)基于AlN單晶襯底的高效率紫外LED和紫外探測器器件。
吳亮的報告十分精彩，大家在會后針對晶體生長技術(shù)、產(chǎn)業(yè)化前景等問題進行了深入熱烈的探討。會后，在葉繼春研究員和郭煒博士的陪同下，吳亮還參觀了新能源公共測試平臺和超凈間半導體加工平臺。
吳亮教授簡介：
吳亮教授是上海大學材料科學與工程學院“東方學者”特聘教授、博士生導師。吳亮分別于比利時天主教魯汶大學、清華大學及大連理工大學獲工學博士、工學碩士及本科學位。長期從事半導體、光伏/LED晶體材料模擬仿真技術(shù)、晶體生長設(shè)備及其生長工藝與缺陷的研究開發(fā)，是全球知名的晶體生長模擬仿真軟件FEMAG的核心開發(fā)人員之一、知名網(wǎng)格生成軟件poly2tri作者；Elsevier Journal of Crystal Growth客座編輯（guest editor）；PV Japan-2011 大會全員特邀演講嘉賓（Plenary keynote speaker）；SEMI全球協(xié)會Semi China光伏材料學術(shù)委員會成員，光伏材料分會主席；主要研究方向為晶體生長設(shè)備、熱場設(shè)計與工藝；磁場對晶體生長過程的影響及其耦合技術(shù)；晶體生長過程的微觀缺陷形成機理及其傳輸機制。有限元非結(jié)構(gòu)化網(wǎng)格自動生成；晶體生長工藝過程的全局計算機模擬、仿真與工藝優(yōu)化等。
報告會現(xiàn)場
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