美國斯坦福大學(xué)謝燕武博士到寧波材料所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流
10月23日,美國斯坦福大學(xué)研究助理謝燕武博士到寧波材料所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流,并作了題為“Tuning the quasi two-dimensional electron gas at complex oxide interface”的學(xué)術(shù)報(bào)告。
報(bào)告中,謝燕武介紹了使用電荷調(diào)控LaAlO3/SrTiO3界面準(zhǔn)二維電子氣(q2DEG)的研究工作,使用極性分子吸附和使用AFM探針施加偏壓的辦法來調(diào)控LaAlO3/SrTiO3界面的電輸運(yùn)特性。由于LaAlO3/SrTiO3界面的電輸運(yùn)對極性分子的吸附非常敏感,可以用來做氣體分子傳感器。通過優(yōu)化上述兩種調(diào)控方法可以將LaAlO3/SrTiO3界面q2DEG 的霍爾遷移率提高至20,000 cm2V-1s-1以上,從而首次在d電子體系q2DEG的霍爾電導(dǎo)中觀察到具有四重簡并度的新臺(tái)階。
謝燕武,美國斯坦福大學(xué)Geballe先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室的研究助理。2001年和2004年在吉林大學(xué)先后取得學(xué)士和碩士學(xué)位,2007年在中國科學(xué)院物理研究所取得博士學(xué)位。之后,先后在燕山大學(xué)亞穩(wěn)材料制備技術(shù)與科學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、日本東京大學(xué)先端材料研究所和美國斯坦福大學(xué)Geballe先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室從事研究工作。主要從事復(fù)雜氧化物界面電子學(xué)的實(shí)驗(yàn)前沿研究,精通研究復(fù)雜氧化物的多種最先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)技術(shù),能在原子尺度實(shí)現(xiàn)可控制備、表征探測與物性調(diào)控。研究工作既注重探索新奇的界面量子現(xiàn)象,又注重發(fā)展面向未來的新型電子器件。已在《Nature Materials》、《Nature Communications》、《Advanced Materials》和《Nano Letters》等國際主流學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表研究論文共40余篇,是《Advanced Materials》和《Nano Letters》等多個(gè)學(xué)術(shù)期刊審稿人。
(磁性材料事業(yè)部)