寧波材料所組織參加美國電化學學會秋季例會第222屆會議
2012年度美國電化學學會秋季例會第222屆會議（222nd ECS Meeting-PRIME 2012)于2012年10月7日—12日在夏威夷召開。
寧波材料所曹鴻濤研究員、萬青研究員和竺立強副研究員參加了主題為 “Thin-Film Transistor 11”薄膜晶體管相關研究的專題會議，與國際上從事薄膜晶體管器件相關研究的大學、研究所和工業(yè)界的專家、學者、研發(fā)人員同場交流。
曹鴻濤研究員作了題目為“Ambipolar SnO thin-film transistors and inverters ”口頭報告，介紹了可同時、可控傳導電子和空穴的雙極性薄膜晶體管在多功能器件設計及工藝簡化方面的重要性及其開發(fā)所面臨的挑戰(zhàn)，介紹了SnO雙極性薄膜晶體管的制作工藝及其優(yōu)異的電學性能。研究成果得到了細野秀雄教授（新型氧化物IGZO材料的發(fā)明人）的高度評價。
萬青研究員作了題為“Dual In-Plane-Gate Thin-Film Transistors Gated by Chitosan on Paper Substrates”的口頭報告，介紹了離子液雙電層的形成機理、殼聚糖的雙電層效應、柔性雙電層薄膜晶體管的制作工藝，提出了低工作電壓雙電層薄膜晶體管的潛在應用領域：便攜式傳感器件、新型神經(jīng)元器件等。
竺立強副研究員作了題為“Laser patterned junctionless in-plane-gate oxide thin-film transistors arrays”的口頭報告，介紹了多孔SiO2的質(zhì)子導電特性，分析了其質(zhì)子導電的機理，介紹了SiO2的雙電層效應。以此為基礎介紹了一種激光直寫無結(jié)薄膜晶體管的制作工藝。制作的無結(jié)薄膜晶體管可以在側(cè)柵、雙側(cè)柵兩種模式下工作，而且雙側(cè)柵型無結(jié)薄膜晶體管具有邏輯運算功能。
以上三個會議報告均被收錄進“ECS Transactions, Thin Film Transistor 11 ”會議論文集。
曹鴻濤口頭報告現(xiàn)場
萬青口頭報告現(xiàn)場
本次會議參會人員規(guī)模大，論文數(shù)量達到了4000余篇，具體研討了9個方面的問題：電池、燃料電池與能源轉(zhuǎn)換；生物醫(yī)用與有機電化學；腐蝕、鈍化與陽極氧化膜；介電與半導體材料、器件和工藝；化學、電化學沉積與刻蝕；電化學合成工程；富勒烯、納米管和碳納米結(jié)構(gòu)；物理與分析電化學；傳感器與顯示器的原理、材料和工藝。在“Thin-Film Transistor 11”薄膜晶體管分會中，共有口頭報告40個，Poster 18篇。會議報告精彩，展示了最新發(fā)展動向和趨勢，與會成員討論熱烈。
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