寧波材料所兩項科研裝備研制項目通過技術(shù)驗收
4月15日,中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所承擔(dān)的中科院科研裝備研制項目“半導(dǎo)體能帶間態(tài)密度缺陷的瞬態(tài)表征儀”和“高精度高靈敏度激光加熱高溫核磁共振測試系統(tǒng)”順利通過技術(shù)專家的現(xiàn)場測試,設(shè)備實際技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到實施方案要求。
根據(jù)項目所涉及的技術(shù)領(lǐng)域,本次技術(shù)驗收會邀請了中科院微電子所夏洋研究員和中科院上海微系統(tǒng)所趙建龍研究員分別擔(dān)任兩個項目的技術(shù)驗收組組長。驗收會議上,項目負(fù)責(zé)人戴明志和許巍分別介紹了兩個項目的研制過程和指標(biāo)完成情況。聽取匯報后,專家組審議并通過了技術(shù)測試大綱。兩個專家組至設(shè)備現(xiàn)場按照項目技術(shù)測試大綱逐項進行測試,將測試結(jié)果與項目任務(wù)書進行比對,并查閱用戶使用報告和第三方檢測公司出具的檢測報告,結(jié)合現(xiàn)場測試結(jié)果,專家組一致認(rèn)為研制設(shè)備所有技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到或優(yōu)于實施方案規(guī)定的要求。
“半導(dǎo)體能帶間態(tài)密度缺陷的瞬態(tài)表征儀”項目基于具有授權(quán)發(fā)明專利的創(chuàng)新瞬態(tài)降噪缺陷表征法,研制了一套可在常溫、可見光條件下高精度、低噪聲、集成化的能帶間態(tài)密度(Subgap density of states,DOS)缺陷瞬態(tài)測試設(shè)備,可表征瞬態(tài)DOS隨能帶分布、光照和溫度的變化規(guī)律,填補國內(nèi)外在DOS缺陷的純電學(xué)瞬態(tài)降噪表征儀器方面的空白。DOS是影響晶體管特別是非晶半導(dǎo)體晶體管電學(xué)性能的微觀參數(shù),該設(shè)備的研制將為芯片晶體管性能提升、柔性電子器件電學(xué)性能的測試表征提供技術(shù)支撐。
“高精度高靈敏度激光加熱高溫核磁共振測試系統(tǒng)”項目研制了一套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型激光加熱高溫NMR測試系統(tǒng),實現(xiàn)了最高溫度1800攝氏度下Cu、Al、In、P等元素在合金熔體中的信號靈敏探測。該設(shè)備的成功研制可實現(xiàn)多種合金熔體的局域結(jié)構(gòu)表征和隨溫度演化的原子擴散動力學(xué)研究,為解決非晶合金生產(chǎn)制備過程中的技術(shù)難題提供重要的技術(shù)和科學(xué)指導(dǎo)。因其極高的探測靈敏度,下步該設(shè)備也將為研究高溫氧化物玻璃、熔融鹽、離子導(dǎo)體提供有力支撐。


驗收現(xiàn)場
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