中科院微電子所副研究員龍世兵、劉琦到寧波材料所進行學(xué)術(shù)交流
5月29日下午，中科院微電子所副研究員龍世兵、劉琦到寧波材料所進行學(xué)術(shù)交流，并分別作了題為“Resistive switching in binary oxide”和“Transition from threshold switching tomemory switching in theoxide-electrolyte-based RRAM”的學(xué)術(shù)報告。磁性材料事業(yè)部副研究員劉鋼主持報告會，研究員李潤偉、詹清峰、陳斌等參加了報告會。
龍世兵從優(yōu)化阻變器件性能、控制轉(zhuǎn)變參數(shù)離散型和揭示阻變器件物理規(guī)律的角度出發(fā)，講解了二元氧化物阻變存儲器。劉琦介紹了限流對存儲器的影響，當(dāng)限流較小時，阻變存儲器表現(xiàn)出揮發(fā)性特征；當(dāng)限流較大時阻變存儲器表現(xiàn)為非揮發(fā)特征。
參會人員還就阻變存儲器的數(shù)值模擬與控制導(dǎo)電絲的生長等問題同龍世兵和劉琦進行了交流。
龍世兵在報告中
劉琦在報告中
龍世兵，中科院微電子所副研究員。1995年至1999年就讀于北京科技大學(xué)物理系，獲得學(xué)士學(xué)位；1999年至2002年就讀于北京科技大學(xué)材料物理系，獲得碩士學(xué)位。2002年至2005年就讀于中科院微電子所，獲得博士學(xué)位。2011年至2012年，作為訪問學(xué)者在UniversitatAutònoma de Barcelona (UAB)電子工程系從事研究工作。現(xiàn)為IEEE會員， 北京電子學(xué)會半導(dǎo)體專業(yè)委員會委員兼秘書等。研究興趣主要集中于阻變存儲器。承擔(dān)11項研究項目，包括國家科技重大專項，“863”計劃，中國科學(xué)院重大科研裝備研制項目，國家自然科學(xué)基金等。現(xiàn)為Advanced Materials, Advanced Functional Materials, IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions of Electron Devices, IEEE Transactions on Nanotechnology, Applied physics Letters, Nanoscale, Nanaoscale Research Letters, Nanotechnology, Chemical Commnications, Electrochemical Solid-State Letters, Thin Solid Films, Journal of Physics D: Applied Physics, Applied Physics A, Journal of Materials Chemistry, Materials Chemistry and Physics, Physical Chemistry Chemical Physics, Chinese Physics, Chinese Physics Letters,Chinese Science, Chinese Science Buletin等雜志審稿人。
劉琦，中科院微電子所副研究員，長期從事新型非揮發(fā)存儲技術(shù)和微納加工技術(shù)的研究工作，參與了多項關(guān)于非揮發(fā)存儲技術(shù)研究的國家重大專項、863、973和自然科學(xué)基金等項目的研究工作。迄今在Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Nanoscale、APL、Nanotechnology和IEEE EDL等國際知名雜志上發(fā)表SCI論文47篇，SCI他引900多次，H因子17。擁有4項授權(quán)中國發(fā)明專利和3項美國發(fā)明專利。目前是Adv. Mater.、APL、EDL等期刊的審稿人。
（磁材事業(yè)部）